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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJP11C65MJ N-POWERFET MOSFET 650V 11A 134W Rds<0.36R TO-220AB HV
Produktreferenz : YJP11C65MJ
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Technische Produktbeschreibung (YJP11C65MJ):
Der YJP11C65MJ ist ein Hochleistungs-MOSFET, hergestellt von Yangjie Electronic Technology. Dieser N-POWERFET bietet 650V, 11A, 134W und einen Rds < 0,36 Ohm, in einem TO-220AB (TO-220) HV-Gehäuse. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen. Wichtige Parameter sind: Typ: MOSFET, Spannung: 650 V, Strom: 11,0 A, Gehäuse: TO-220, Widerstand (RDSon): 0,36 Ohm.